- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت 20N03-VB
20N03-VB دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | 20N03-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 74.075 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت 20N03-VB |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
VBsemi Elec 20N03-VB 8 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: 1 N-Channel
- Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec 20N03-VB
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 100W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.201nF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 70A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 370pF@15V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@10V,21.8A
- Package: TO-252-2
